Band Structure of MgxZn1‐xTe Alloys

The band structure of MgxZn1-xTe alloys is studied using a double beam wavelength modulated system in first derivative mode. Modulated reflectivity measurements are made from 82 to 300 K within spectral range 2500 to 5400 A. Structures corresponding to the E0, E0 + Δ0, E1, E1 + Δ1, e1 and e1 + Δ1 critical points are indexed on the basis of existing band calculations for ZnTe. La structure de bande des alliages semiconducteurs MgxZn1-x Te a ete etudiee en reflectivite derivee par modulation de longueur d'one dans la gamme spectrale 2500 a 5400 A entre 82 et 300 K. Les structures correspondant aux transitions E0, E0 + Δ0, E1, E1 + Δ1e1 et e1 + Δ1 sont identifyees par rapport a ZnTe sur la base des calculs de structure de bande existants.