2~16 GHz GaN 비균일 분산 전력증폭기 MMIC

본 논문에서는 드레인 분기 커패시터를 사용하여 입․출력 간 동위상을 제공함과 동시에 각 트랜지스터에 최적 부하임피던스를 제공하는 비균일 분산 전력증폭기 설계 기법을 2~16 GHz GaN 광대역 전력증폭기 MMIC 설계에 적용하고, 칩을 제작하여 결과를 평가하였다. Win Semiconductors사의 0.25 μm GaN HEMT 공정으로 제작된 MMIC 칩은 크기가 3.9 mm×3.1 mm이며, 주파수 대역 내에서 12 dB 이상의 선형 이득 및 10 dB 이상의 입력 반사 손실을 보였다. 연속파모드 포화출력 조건에서 측정된 출력 전력은 36.2~38.5 dBm의 값을 보였고, 전력부가효율은 약 8~16 %를 나타내었다.