半導体装置、窒化物半導体結晶、半導体装置の製造方法及び窒化物半導体結晶の製造方法

【課題】オン抵抗の低い半導体装置を提供する。 【解決手段】基板の上に形成された核形成層と、前記核形成層の上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上に形成された第１の窒化物半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された第２の窒化物半導体層と、を有し、フォトルミネッセンスにおけるバンド端発光に対するイエロールミネッセンス発光の比率が４００％以下であって、かつ、Ｘ線ロッキングカーブにおけるツイスト値が１０００ａｒｃｓｅｃ以下であることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 【選択図】 図１２