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原子論的カイネティックモンテカルロシミュレーションによるSi/SiO 2 界面におけるほう素とひ素の線量損失と分離
原子論的カイネティックモンテカルロシミュレーションによるSi/SiO 2 界面におけるほう素とひ素の線量損失と分離
2005
J. E. Rubio
Martín Jaraíz
Ignacio Martin-Bragado
Pedro Castrillo
R. Pinacho
Juan Barbolla
Keywords:
Materials science
Nanotechnology
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