Sur l'utilisation des modifications de barrière de surface avec la température pour caractériser les états de surface

Resume On expose une methode permettant de determiner, sur la surface des semiconducteurs, les densites et les positions energetiques d'etats a partir de la variation de la hauteur de la barriere de surface, en fonction de la temperature dans le domaine 100–400 K. Des exemples de calculs sont donnes dans le cas d'etats discrets.