방사선을 이용한 ETFE-g-PVBSA/ZrP 막의 제조 및 특성 분석

본 연구에서는 방사선의 그래프팅 기술을 이용하여 다양한 그래프트율을 가진 poly(ethylene-alt-tetrafluoroethylene)-g-poly(vinylbenzyl sulfonic acid)(ETFE-g-PVBSA) 막을 제조한 후, 지르코늄 포스페이트(ZrP) 나노 입자를 도입한 ETFE-g-PVBSA/ZrP 막을 제조하였다. ETFE-g-PVBSA 막의 그래프트율이 증가할수록 도입된 ZrP 나노 입자의 함량이 증가하는 것을 관찰하였으며, ETFE-g-PVBSA/ZrP 막의 SEM-EDX와 TEM분석을 통하여 막 내부의 황(S), 지르코늄(Zr) 그리고 인(P) 원소의 상대적 분포도를 측정하여 ZrP 나노 입자가 고르게 분포된 것을 확인하였다. 또한 막의 이온교환용량과 함수율 그리고 열 중량 분석을 측정하여 도입된 ZrP 나노 입자에 대한 영향을 평가하였으며, 단위전지 성능 평가를 실시하여 도입된 ZrP 나노 입자의 함량에 따른 단위전지 성능 변화를 관찰하였다. 제조된 막에 ZrP 나노 입자를 도입함에 따라 온도가 증가하고 습도가 낮아지는 조건에서 단위전지 성능이 향상되는 것을 확인하였다.