Procédé de préparation de ligne superfine

La presente invention porte sur un procede de preparation de ligne nanometrique superfine, appartenant au domaine technique de fabrication de transistor de dispositif semi-conducteur microelectronique. Le procede combine les processus d'oxydation par blocage de masque et d'oxydation pas-a-pas pour obtenir une ligne superfine suspendue. Le diametre de la ligne superfine suspendue preparee peut etre commande a 20 nm a travers le temps et la temperature de maniere precise par depot de l'epaisseur de nitrure de silicium et deux oxydations, et la vitesse d'oxydation seche est relativement lente, ainsi la dimension de la ligne superfine finale peut etre commandee de maniere precise ; et dans le meme temps, les couts sont faibles et la faisabilite est elevee lors de l'emploi du procede pour preparer une ligne superfine.