Electrical conduction in the Si(111):B-( sqrt 3 x sqrt 3 )R30 degrees/a-Si interface reconstruction.

Un tiers d'une monocouche de bore ordonnee spatialement sur le silicium cristallin oriente suivant la direction (111) est prepare sous ultravide et enterre ensuite sous une couche mince de silicium amorphe. Ceci laisse une couche de bore bidimensionnelle a structure (∨3×∨3) dans les sites de substitution confines dans une seule monocouche sur le cote cristallin de l'interface. On rapporte la conductivite electrique de ce systeme avec une densite elevee de porteurs de type-p (>10 14 /cm 2 ) dans une couche interfaciale bidimensionnelle ordonnee