核壳结构SiC/SiO 2 纳米线的低温合成与表征

以酚醛树脂(PF)作为碳源, 纳米SiO 2 为硅源, 在1300℃氩气气氛下通过碳热还原反应, 制备出具有核壳结构的SiC/SiO 2 纳米线。采用X射线分析衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、拉曼光谱(Raman)对产物的组成、形貌、微观结构等进行了表征。结果表明; SiC/SiO 2 纳米线长可达数毫米, 单根SiC/SiO 2 纳米线由直径30 nm的β-SiC晶体为内核和厚度约12 nm的无定形SiO 2 壳层组成; 室温下SiC/SiO 2 纳米线的PL发光峰与β-SiC单晶的发光特征峰相比有蓝移。最后, 讨论了核壳结构SiC/SiO 2 纳米线的生成机制。