Procede de conception d'un masque

La presente invention concerne le placement selectif de motifs a caracteristiques de polissage fictives, plutot que le placement aleatoire de motifs a caracteristiques de polissage fictives. La basse frequence (centaines de microns et plus) et la haute frequence (10 microns et moins) des changements topographiques sont toutes deux analysees. Les motifs a caracteristiques de polissage fictives peuvent etre concus specifiquement a un dispositif a semi-conducteur et aux conditions de polissage utilisees pour la realisation du dispositif a semi-conducteur. Lors de la conception d'un circuit integre, les effets de polissage pour les caracteristiques actives peuvent etre prevus. Apres placement du/des motif(s) a caracteristiques de polissage fictives dans le trace du circuit, la planeite peut etre analysee localement (une partie, mais pas la totalite du dispositif) et de maniere plus globale (la totalite du/des dispositif(s) correspondant a un champ de reticule, ou meme une tranche toute entiere).