L'implantation des ions dans les semiconducteurs et ses applications

Ce travail est consacre a l'etude des defauts crees par implantation localisee des protons dans les echantillons de silicium. Nous avons realise trois types d'etudes. Par l'etude du profil de resistivite des echantillons irradies, nous avons pu determiner que l'implantation donnait lieu, apres recuit thermique a 400c, a deux types de defauts ayant des comportements electriques differents. Les premiers localises entre la surface de l'echantillon et la profondeur d'arret des particules se traduisent par une augmentation de la resistivite. Quant aux seconds defauts, ils sont essentiellement localises a la profondeur d'arret et leur activite electrique se traduit par une diminution locale de la resistivite. Ces derniers defauts pourraient etre attribues a l'activite de l'hydrogene implante. Les methodes capacitives (c-v et dlts) nous ont permis de determiner le profil de concentration des porteurs de charge dans l'echantillon apres irradiation. Elles nous ont surtout permis de repertorier (par spectroscopie dlts) l'ensemble des defauts crees par implantation a differentes profondeurs