Dispositif semi-conducteur et procédé de fabrication de celui-ci

Le dispositif semi-conducteur de l'invention contient : une couche semi-conductrice d'un premier type de conductivite; une region de corps d'un second type de conductivite formee sur une partie couche superficielle de ladite couche semi-conductrice; une region source d'un premier type de conductivite formee sur une partie couche superficielle de ladite region de corps; un film d'isolation de grille agence sur ladite couche semi-conductrice, a l'interieur duquel est contenu un atome de nitrogene, et qui contient une premiere section en contact avec ladite couche semi-conductrice en dehors de ladite region corps, une seconde section en contact avec ladite region corps ainsi qu'une troisieme section en contact avec ladite region source; et une electrode de grille agencee sur ledit film d'isolation de grille, dans une region qui enjambe ladite couche semi-conductrice en dehors de ladite region corps, ladite region corps, et ladite region source. L'epaisseur de ladite troisieme section dudit film d'isolation de grille, est superieure a celle de desdites premiere et seconde sections.