退火对Mn-Co-Ni-O薄膜器件性能的影响

采用磁控溅射法制备了厚度为6．5μm的Mn1.95 C00.77Ni0.28O4组分的薄膜材料，把材料分别在400％，500％，600％，700％，800％下进行后退火处理．结果表明，室温下的负电阻温度系数d295值随退火温度增加先增大后减小，而电阻率p295则是随退火温度增加逐渐减小的；在相同频率下，500％退火样品的归一化噪声谱密度（Sv·Vg/V2）最小，700％退火样品的归一化噪声谱密度最大．退火温度越高会造成越多的晶体缺陷，从而降低有效导热系数、增大时间常数丁和器件噪声．