半導体装置、及びその製造方法、並びに放射線検出装置

(57)【要約】 【課題】 オフ電流の増加がなく、転送効率の優れた薄 膜トランジスタを有する半導体装置、及びその製造方 法、並びにそれを用いた放射線検出装置を提供するこ と。 【解決手段】 ボトムゲート型の薄膜トランジスタを有 する半導体装置においてソース・ドレイン電極６の下部 にある半導体層４の層厚ｔ２をソース・ドレイン電極６ 間のギャップ部にある半導体層４の層厚ｔ１よりも薄く する。