SIMS-Analyse von Wasserstoff in Si-Proben

Um die optimalen Bedingungen fur den Wasserstoffnachweis in Festkorpern zu finden, wurden systematische Untersuchungen an mit Wasserstoff bzw. Deuterium implantierten Si-Proben durchgefuhrt. Es wurden die SIMS-Tiefenprofile analysiert, die Sputterraten gemessen und die Nachweisempfindlichkeit quantitativ ermittelt. Bei kleinen Implantationsdosen zeigt sich eine gute Ubereinstimmung der gemessenen Profile mit den theoretischen Berechnungen.