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19pXB-8 α-Si(H)のTDS(脱水素)スペクトルの光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
19pXB-8 α-Si(H)のTDS(脱水素)スペクトルの光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
2007
masami kasai
hidetosi arai
hirosi mizubayasi
hisanori tanimoto
kou sakata
mituyuki santyuu
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