Estudio de estabilidad de complejos atómicos en semiconductores del grupo IV mediante el modelo de Keating Anarmónico

Se presenta un estudio de energias de configuracion de pequenos clusters de atomos de C, Ge y Sn en Si para posiciones sustitucionales, mediante el modelo de Keating anarmonico. Los resultados muestran en general tendencia a la nucleacion excepto Cx en Si y una posible formacion de estructuras complejas de 4 atomos en Si 158 - xGe Cx