Compressing polycrystalline silicon layer and manufacturing method thereof

Verfahren zum Ausbilden eines Grabenkondensators (400), wobei das Verfahren Folgendes aufweist: • Ausbilden eines Grabens (410) mit Seitenwanden in einem Substrat (420); • Ausbilden einer ersten Platte (430) entlang der Seitenwande (415); • Ausbilden eines Dielektrikums (440) uber der ersten Platte (430); und • Ausbilden einer zweiten Platte (450) uber dem Dielektrikum (440), wobei das Ausbilden der zweiten Platte (450) aufweist: Ausbilden einer polykristallinen halbleitenden Keimschicht und anschliesendes Abscheiden eines ersten zusammendruckenden polykristallinen halbleitenden Materials unter amorphen Abscheidungsbedingungen sowie Ausbilden eines zweiten dehnenden polykristallinen halbleitenden Materials uber dem ersten zusammendruckenden polykristallinen halbleitenden Material.