Procédé de production d'un matériau de conversion thermoélectrique

La presente invention a trait a un procede de production d'un materiau de conversion thermoelectrique qui est dote d'un excellent rendement de conversion thermoelectrique, lequel procede de production comprend une etape consistant a former une couche mince thermoelectrique qui reflechit, avec une grande precision, le rapport de composition d'un materiau semi-conducteur thermoelectrique qui tient lieu de matiere premiere, ladite couche mince thermoelectrique etant formee sur un substrat poreux et l'adherence entre le substrat poreux et la couche mince etant excellente. Le procede de production d'un materiau de conversion thermoelectrique selon la presente invention, au cours duquel une couche mince d'un materiau semi-conducteur thermoelectrique contenant deux elements ou plus est formee sur un substrat poreux, est caracterise en ce qu'il comprend : une etape consistant a former le film de materiau semi-conducteur thermoelectrique sur le substrat poreux a l'aide d'un procede de depot par plasma d'arc ; et une etape consistant a effectuer un traitement thermique au cours de l'etape de formation du film et/ou apres l'etape de formation du film.