Ba_（0.32）Co_4Sb_（12-x）Te_x的高压合成及其电学性质

在高温高压下合成方钴矿结构热电材料Ba_（0.32）Co_4Sb_（12-x）Te_x（0.1≤x≤0.9）,测试了样品的微观结构和室温电学性质。结果表明：Ba填充Te置换型方钴矿Ba_（0.32）Co_4Sb_（12-x）Te_x为n型半导体;在不同压力下,随着Te填充分数的增加,Seebeck系数的绝对值和电阻率均呈降低趋势,功率因子显著提高。在1.5 GPa、900 K条件下合成的Ba_（0.32）Co_4Sb_（11.9）Te_（0.1）化合物功率因子达到最大值（9.7μWcm~（-1）K~（-2））。