Élément semi-conducteur, procédé de fabrication d'élément semi-conducteur, module semi-conducteur, procédé de fabrication de module semi-conducteur et boitier de semi-conducteur

Selon la presente invention, une couche d'electrode ohmique (14) est disposee sur une seconde surface principale d'un substrat de carbure de silicium (11), et une couche de l'electrode metallique (15) est disposee sur la couche d'electrode ohmique (14). Dans une partie peripherique de la seconde surface principale du substrat de carbure de silicium (11), des sections de decoupe (20) sont formees le long d'au moins une paire de cotes se faisant mutuellement face. La forme d'une coupe transversale de chacune des sections de decoupe (20) presente une partie de coin (21), ladite coupe transversale etant orthogonale aux cotes de la seconde surface principale. Dans la coupe transversale, l'epaisseur du substrat de carbure de silicium (11) au niveau des parties d'extremite du substrat dans les sections de decoupe (20) est inferieure a l'epaisseur d'une partie ou les sections de decoupe (20) ne sont pas formees et est superieure a l'epaisseur d'une partie au niveau du bas la partie de coin (21).