Procede et appareil pour le traitemnent thermique de substrats a semi-conducteur

L'invention concerne un appareil et un procede concus pour le traitement thermique de plaquettes a semi-conducteur. Chaque plaquette (135) est rapidement inseree dans, puis retiree de, la cavite (120) d'un four maintenu a une temperature quasiment constante et isothermique. Les vitesses d'insertion et de retrait sont suffisamment grandes pour limiter les contraintes thermiques et reduire ou empecher ainsi toute deformation plastique de la plaquette au moment de son entree et de sa sortie du four (110). Par le traitement de la plaquette (135) a semi-conducteur dans une cavite (120) sensiblement isothermique, on garantit la temperature de la plaquette et l'uniformite spatiale de cette temperature en mesurant et en maitrisant uniquement les temperatures des parois (121, 122, 123) de la cavite. En outre, les exigences de puissance de crete sont tres petites par rapport au processeur thermique rapide car la temperature de la cavite n'est pas cyclee et la masse thermique de la cavite (120) est relativement grande.