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レーザーアブレーション法によるSiCバッファ層を用いたAlN/Si(110)基板上へのSiCエピタキシャル成長
レーザーアブレーション法によるSiCバッファ層を用いたAlN/Si(110)基板上へのSiCエピタキシャル成長
2017
tomo kei nara
syun moto narita
hinode ki nakazawa
Keywords:
Silicon carbide
Analytical chemistry
Pulsed laser deposition
Nitride
Materials science
Optoelectronics
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