1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM : 6T2MTJセルにバックグラウンド書き込み(BGW)方式を適用(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
2014
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