Procédé de nettoyage de semiconducteur composé et solution de nettoyage de semiconducteur composé

La presente invention concerne un procede de nettoyage d'un semiconducteur compose, qui permet de reduire la charge environnementale. Ce procede de nettoyage d'un semiconducteur compose comprend une etape de realisation d'un traitement (4) de nettoyage d'un semiconducteur compose qui comprend du gallium en tant qu'element constitutif a une temperature superieure ou egale a 70 °C a l'aide d'une solution (17) qui contient de l'eau douce et presente une teneur en acide sulfurique inferieure a 65 % en poids, et presente une concentration en ions hydrogene de pH inferieur ou egal a 2 et un potentiel redox superieur ou egal a 0,6 volt.