PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM

Ce procede de formation de film comprend : une etape d'alimentation en premier gaz (A) consistant a apporter un premier gaz sur un substrat a traiter de sorte qu'une premiere couche d'adsorption chimique, qui est adsorbee a l'aide du premier gaz, soit formee sur le substrat a traiter ; une etape d'alimentation en second gaz (C) consistant a apporter un second gaz, different du premier gaz, sur le substrat a traiter, sur lequel la premiere couche d'adsorption chimique a ete formee, de sorte qu'une seconde couche d'adsorption chimique, qui est adsorbee a l'aide du second gaz, soit formee sur la premiere couche d'adsorption chimique ; et une etape de traitement au plasma (E) consistant a realiser un traitement au plasma sur au moins les premiere et seconde couches d'adsorption chimique a l'aide d'un plasma a micro-ondes.