高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

【解決手段】式（１）〜（６）の繰り返し単位の含有量が、（１）１〜６０モル％、（２）１〜６０モル％、（３）１〜５０モル％、（４）０〜６０モル％、（５）０〜３０モル％、（６）０〜３０モル％、重量平均分子量３，０００〜３０，０００、分散度１．５〜２．５である高分子化合物。 （Ｒ 1 、Ｒ 3 、Ｒ 4 、Ｒ 7 、Ｒ 9 、Ｒ 11 はＨ又はＣＨ 3 。Ｙはメチレン又はＯ。Ｙがメチレンの場合Ｒ 2 はＣＯ 2 Ｒ 10 。ＹがＯの場合Ｒ 2 はＨ又はＣＯ 2 Ｒ 10 。Ｒ 10 はＣ１〜１５のアルキル基又はアルキル基にＯが挿入された基。Ｒ 5 、Ｒ 6 はＨ又はＯＨ。Ｒ 8 は３級エステル型酸分解性保護基。Ｒ 12 はＨを含むフルオロアルキル基。Ｒ 12 は酸素含有官能基で置換されていてもよく及び／又は炭素−炭素結合間にＯを介在させてもよい。） 【効果】本発明の高分子化合物をベース樹脂として含むレジスト材料は、高解像度を有し、ラインエッジラフネス及びＩ／Ｇバイアスが改善されたものである。 【選択図】なし