Recuit laser à flux thermique destiné à l’implantation ionique de jonctions pn de semi-conducteurs

La presente invention concerne un procede permettant de former des jonctions PN dans une tranche de semi-conducteur. Ledit procede consiste a implanter ioniquement des impuretes dopantes dans la tranche et a recuire la tranche a l’aide d’un appareil de recuit laser a flux thermique qui comprend : un ensemble d’emetteurs de diode laser agences sur plusieurs rangees paralleles s’etendant le long d’un axe lent ; plusieurs lentilles cylindriques correspondantes recouvrant celles se trouvant sur les rangees des emetteurs laser afin de collimater la lumiere a partir des rangees correspondantes le long de l’axe rapide qui est generalement perpendiculaire a l’axe lent ; un conduit de lumiere homogeneisant dote d’une face d’entree situee a une premiere extremite afin de recevoir la lumiere provenant des nombreuses lentilles cylindriques et une face de sortie situee a l’extremite opposee, le conduit de lumiere comprenant une paire de parois reflechissantes s’etendant entre les faces d’entee et de sortie et separees l’une de l’autre le long de la direction de l’axe lent ; et un appareil de balayage servant a balayer la lumiere emise par le conduit de lumiere homogeneisant sur toute la tranche dans une direction de balayage parallele a l’axe rapide.