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Acemap > Paper > 異なるAl濃度を有するp型4H-SiCエピ膜の価電子帯近傍の深い準位(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

異なるAl濃度を有するp型4H-SiCエピ膜の価電子帯近傍の深い準位(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

2014 
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