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Acemap > Paper > 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(1)―TCADによる注入層の軽元素捕獲・拡散挙動の理論解析―

炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(1)―TCADによる注入層の軽元素捕獲・拡散挙動の理論解析―

2017 
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