シリコンウェハ、半導体装置、シリコンウェハの製造方法および半導体装置の製造方法

【課題】ウェハの割れ、欠けやチッピングを低減し、かつデバイスの良品率を向上した半導体装置及びその製造方法の提供。 【解決手段】ＦＺウェハまたはＣＺウェハ等のウェハに熱酸化処理を行いウェハの全面に熱酸化膜を形成する。ついで、素子構造が形成されるウェハのおもて面側の上に形成された熱酸化膜を除去し、開口部を形成する。ついで、非酸化性雰囲気内において、高温で長時間の熱処理を行い、熱酸化膜からウェハへの酸素原子の内方拡散を行う。ウェハがＣＺウェハの場合、ウェハから雰囲気内への酸素原子の外方拡散も行う。このように、ウェハの中央部のおもて面側が低酸素濃度シリコン層２であり、バルク領域、中央部の裏面側および外周端部が高酸素濃度シリコン層３である、シリコンウェハ１が形成され、熱酸化膜を除去した後に、シリコンウェハ１の中央部のおもて面におもて面素子構造を形成する。 【選択図】図１