Dispositif semi-conducteur au carbure de silicium et procédé pour le fabriquer

Selon la presente invention, une couche canal (40) est formee sur une couche (30) de migration afin de constituer une partie du trajet des porteurs entre une electrode source (100) et une electrode drain (110). La couche canal (40) est composee de cristaux granulaires de germanium formes sur la couche de derive (30), une couche de couverture recouvrant les cristaux granulaires de germanium.