Technologie de dram integree hautes performances faisant appel a du silicium contraint

L'invention concerne des dispositifs a semi-conducteurs qui sont produits dans une region de couche contrainte et dans une region sans couche contrainte du meme substrat. Un premier dispositif a semi-conducteurs, par exemple une cellule de memoire, notamment une cellule de memoire a tranchees profondes, est forme dans une region sans couche contrainte du substrat. Une region de couche contrainte est formee de maniere selective dans le meme substrat. Un deuxieme dispositif a semi-conducteurs (66, 68, 70), par exemple un transistor a effet de champ, notamment un dispositif logique MOSFET, est forme dans la region de couche contrainte.