Procede et dispositif d'usinage d'une tranche et tranche comprenant une couche de separation et un substrat

2003 
L'invention concerne un procede et un dispositif pour l'usinage de tranches, en particulier pour l'amincissement de tranches de silicium. Cette invention concerne egalement une tranche comprenant un substrat et une couche de separation, placee entre le substrat et la tranche, laquelle couche de separation comprend une couche polymere plasma adherant a la tranche et adherant plus solidement au substrat qu'a la tranche.
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