Procédé de formation d'un film conducteur, transistor à film mince, panneau avec un transistor à film mince, et procédé de fabrication d'un transistor à film mince

L'invention concerne un procede de formation d'un film conducteur qui presente une adherence elevee et une resistivite faible. En particulier, un film conducteur (25) compose principalement de cuivre et contenant un metal additionnel tel que du Ti ou du Zr, est forme en pulverisant une cible composee principalement de cuivre dans une atmosphere sous vide dans laquelle est introduit un gaz oxydant. Le film conducteur (25) ainsi forme presente une adherence elevee vis-a-vis d'une couche de silicium (23) ou d'un substrat de verre (22), et peut etre difficilement separe du substrat (22). En outre, etant donne que le film conducteur (25) presente une faible resistivite et une faible resistance de contact vis-a-vis d'un film conducteur transparent, les caracteristiques electriques du film conducteur (25) ne se deteriorent pas meme lorsqu'il est utilise en tant que film d'electrode. Par consequent, le film conducteur (25) convient particulierement en tant que film d'electrode ou film barriere d'un dispositif a TFT ou a semiconducteur.