Appareil et procédé de dépôt de couche atomique améliorée au plasma

La presente invention concerne dans ses modes de realisation, un appareil configure pour former un materiau par un procede de depot de couche atomique (ALD) tel qu'un procede ALD ameliore au plasma. Dans un mode de realisation, une chambre de traitement est configuree pour exposer un substrat a une sequence de gaz et de plasmas lors d'un traitement PE-ALD. La chambre de traitement comprend des composants qui peuvent etre isoles electriquement, mis a la terre electriquement ou alimentes en energie RF. Dans un exemple, une chambre et un ensemble distributeur de gaz sont mis a la terre et separes par des composants electriquement isoles, tels qu'un capuchon d'isolation, un insert d'ecran au plasma et un anneau d'isolation. Une pomme de douche, une enceinte de plasma et un boitier d'eau sont places entre les composants isoles et se rechauffent par RF lorsqu'ils sont actives par un generateur au plasma. D'autres modes de realisation de l'invention fournissent des procedes de depot pour former des couches de matieres dans la chambre de traitement.