シリコン酸化膜の製造方法、その制御プログラム、記憶媒体及びプラズマ処理装置

プラズマ処理装置の処理室内で、酸素の割合を１％以上含む処理ガスを用い、１３３．３Ｐａ以下の処理圧力でプラズマ形成し、前記プラズマにより、被処理体のシリコン層に形成された凹部に露出しているシリコン表面を酸化してシリコン酸化膜を形成することを特徴とする、シリコン酸化膜の形成方法が開示されている。