半導体装置、該半導体装置の作製方法、モジュール及び電子機器
2015
【課題】酸化物半導体を用いた新規な半導体装置を提供する。特に、酸化物半導体を用いたプレナー型の半導体装置を提供する。 【解決手段】トランジスタと、容量素子と、を有し、トランジスタは、第1の導電膜と、水素を含む膜を有する第1の絶縁膜と、酸化物絶縁膜を含む第2の絶縁膜と、第1の導電膜と互いに重なる第1の領域と、第1の領域を挟む一対の第2の領域を有する酸化物半導体膜と、一対の電極と、ゲート絶縁膜と、第2の導電膜と、を有し、容量素子は、下部電極と、電極間絶縁膜と、上部電極と、を有し、下部電極は、第1の導電膜が有する材料と同じ材料を含み、電極間絶縁膜は、第1の絶縁膜が有する材料と同じ材料を含む第3の絶縁膜と、ゲート絶縁膜が有する材料と同じ材料を含む第4の絶縁膜と、を有し、上部電極は、第2の導電膜が有する材料と同じ材料を含み、トランジスタ上に水素を含む第5の絶縁膜を有する。 【選択図】図1
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