Caracterización Óptica y Estructural de Películas Semiconductoras de InAsSb para Aplicación en el Infrarrojo

sustrato el GaSb tienen una energia de gap que puede ser obtenida entre 1.58 eV (0.8 μm) hasta 0.03 eV (4.3 μm). En este periodo nos ocupamos en crecer peliculas epitaxiales basadas en aleaciones de InAs0.91Sb0.09 con longitud de onda alrededor de 3 μm. Usamos tambien las tecnicas de espectroscopia raman, microscopia electronica de barrido (SEM) y de fuerza atomica (AFM) asi como de fotoacustica (PA); para caracterizar sus propiedades opticas, estructurales y la calidad de la interface entre la pelicula y el substrato bajo diversas condiciones de crecimiento.