자기정렬 유기박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

본 발명은 자기정렬 유기박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 기판 위에 패터닝된 제1 도전막으로 게이트 전극을 형성하고, 게이트 전극을 덮도록 기판 위에 게이트 절연막을 형성한 후, 게이트 절연막 위에 제2 도전막을 형성한다. 이어서, 기판의 하부 쪽에서 게이트 전극을 마스크로 이용하여 제2 도전막에 자외선을 조사하는 자외선 후면 노광을 수행한 후, 제2 도전막을 현상함으로써 게이트 전극과 자기정렬되어 게이트 전극과 중첩되지 않는 소스/드레인 전극을 형성한다. 이어서, 소스/드레인 전극의 사이 및 상부에 유기 반도체막을 형성한다. 본 발명은 릴-투-릴 공정을 이용하여 유기박막 트랜지스터를 제조할 수 있으므로 제조 공정이 단순해진다.