Galette épitaxiale et élément semi-conducteur

L'invention concerne une galette epitaxiale en carbure de silicium et un element semi-conducteur en carbure de silicium, chacun d'entre eux ayant une faible resistance de l'element et une qualite cristalline amelioree dans une couche a croissance epitaxiale et chacun d'entre eux ne presentant pas de reduction de la mobilite des porteurs meme dans les cas ou l'on forme une couche a croissance epitaxiale epaisse. Plus specifiquement, l'invention concerne un element semi-conducteur en carbure de silicium (101) comprenant : un substrat en carbure de silicium de type n (1) dope a l'aide d'un agent dopant comme l'azote, reduisant la constante de reseau du substrat lorsqu'il y est injecte pour le doper, selon une concentration (C); une couche a croissance epitaxiale en carbure de silicium de type n (3) dopee avec le meme agent dopant que le substrat en carbure de silicium (1), selon une concentration inferieure a celle du substrat en carbure de silicium; et une couche tampon de type n dopee a l'aide de l'agent dopant et disposee entre le substrat en carbure de silicium (1) et la couche a croissance epitaxiale en carbure de silicium (3). La couche tampon (2) possede une structure multicouches dans laquelle deux ou plus de deux couches de meme epaisseur sont laminees, et ladite structure est configuree de maniere a ce que, par rapport au nombre (N) de couches dans la structure multicouches, la concentration de dopant dans la k ieme couche, a partir de la couche a croissance epitaxiale en carbure de silicium (3), soit C × K / (N + 1).