InGaAs junction FETs with frequency limit (MAG = 1) above 30 GHz

Des transistors a effet de champ a jonctions en InGaAs sont fabriques par croissance epitaxique en phase liquide du canal n et diffusion du zinc a partir de couches deposees par centrifugation a basses temperatures pour la grille p + . On obtient des transconductances extrinseques de plus de 100 mS/mm pour des longueurs de grille de 1,2 μm avec des limites de frequence (gain maximal=1) de plus de 30 GHz. Le parfait accord entre les donnees experimentales et les calculs a partir des parametres du materiau et des dimensions du dispositif indique comme condition necessaire de la technologie des transistors a effet de champ a jonction en InGaAs une basse temperature et/ou un temps de traitement rapide pour la formation de la grille