Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体製造装置及びｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の製造方法

(57)【要約】 【課題】 膜厚が均一なＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の厚 膜を結晶成長させるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体半導体装 置及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体半導体の製造方法を提 供する。 【解決手段】 ＩＩＩ族原料供給管が、基板保持具に保 持された基板の中心軸線に沿った中心線方向ベクトル （基板表面から裏面への方向を正）と、ＩＩＩ族原料供 給管のＩＩＩ族原料が吹出される方向に沿ったＩＩＩ族 原料吹出し方向ベクトル（ＩＩＩ族原料が吹き出される 方向を正）とのなす角度が０°〜４０°の範囲、基板保 持具に保持された基板表面の中心部分と、ＩＩＩ族原料 供給管のＩＩＩ族原料吹出し部分との距離が５ｍｍ〜２ ００ｍｍの範囲になるように配置されているので、基板 に供給される原料の流れを制御することが容易になり、 均一な膜厚を有する厚膜のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を 製造することができる。