Procede d'etancheification de transistors en couches minces

L'invention concerne un procede d'etancheification de transistors en couches minces. Ce procede consiste a fournir un transistor en couches minces comportant une electrode grille, une dielectrique de grille, une electrode source et une electrode deversoir et une couche semi-conductrice, puis a deposer par evaporation sous vide une matiere d'etancheification sur au moins une partie de la couche semi-conductrice a travers une impression d'un masque perfore.