Ａｌ－Ｎｉ－Ｂ合金配線材料及びそれを用いた素子構造

本願発明は、薄膜トランジスタや透明電極層を備える表示デバイスにおいて、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明電極層との直接接合が可能であるとともに、ｎ＋－Ｓｉなどの半導体層とも直接接合が可能なＡｌ系合金配線材料を提供する。本願発明は、Ａｌ－Ｎｉ－Ｂ合金配線材料において、ニッケル含有量をニッケルの原子百分率Ｘａｔ％、ボロンの含有量を原子百分率Ｙａｔ％とした場合、式０．５≦Ｘ≦１０．０、０．０５≦Ｙ≦１１．０、Ｙ＋０．２５Ｘ≧１．０、Ｙ＋１．１５Ｘ≦１１．５の各式を満足する領域の範囲内にあり、残部がアルミニウムであるＡｌ－Ｎｉ－Ｂ合金配線材料とした。