Laser semi-conducteur a faisceaux multiples, dispositif a semi-conducteur emetteur de rayonnement lumineux et dispositif semi-conducteur

L'invention concerne un laser semi-conducteur a faisceaux multiples dans lequel est formee, sur une surface principale d'un substrat en saphir, une couche semi-conductrice d'un compose nitrure de groupe III-V a structure laser, sur laquelle sont formees des anodes et des cathodes. Une anode est formee en travers d'une cathode avec, entre elles, un film isolant. Une autre anode est formee en travers d'une autre cathode avec, entre elles, un film isolant.