Structure en relief amelioree pour cmos haute performance

L'invention concerne un procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur CMOS comportant une electrode grille, une source en relief et un drain en relief, sur un substrat. Ce procede se caracterise par le fait qu'il consiste a introduire une protuberance dans le dispositif. Pour ce faire, le procede consiste a fournir une surface de silicium sur une couche isolante ; a fournir une grille a proximite d'une region de source/drain voulue ; a fournir un element d'espacement en relief a proximite de la grille ; a faire croitre une region de source/drain par epitaxie selective ; a former une protuberance a l'aide d'un ou de plusieurs dopants, par implantation ionique ; et a former un element d'espacement hdd (drain hautement dope).