طراحی و ساخت آنتن میکرواستریپ با پهنای باند بالا به روش آرایهی متناوب لگاریتمی با تغذیه Inset و Proximity

در این مقاله برای افزایش پهنای باند آنتن‌های میکرواستریپی، از آرایه‌های متناوب لگاریتمی استفاده شده است و برای تغذیه آرایه‌ها نیز روش‌های تغذیه‌ی ‌Inset و Proximity انتخاب شدند. شبیه‌سازی‌ها و نتایج آزمایشگاهی نشان دادند که با استفاده از تغذیه Inset پهنای باند افزایش یافته و تطبیق امپدانسی بهتر از ترمینال ورودی حاصل می‌شود. بعلاوه با استفاده از تغذیه Proximity به دلیل حذف اتصالات T شکل و لحیم‌کاری‌ها، تشعشعات ناخواسته از بین رفته و در نتیجه بهره و پهنای باند بیشتر و ابعاد کوچکتری نسبت به آنتن با تغذیه Inset به دست می‌آید. در این مقاله از یک ماده دی‌الکتریک از جنس FR4 با ضخامت mm6/1 و ثابت دی‌الکتریک 4/4e_r= استفاده شده است و فرکانس تشدید و امپدانس مشخصه خط تغذیه به ترتیب GHz 03/3 و Ω50 در نظر گرفته شده‌اند. با استفاده از آرایه متناوب لگاریتمی، پهنای‌باند امپدانسی و بهره‌ی آنتن میکرواستریپ به ترتیب از %7/2 و حدودdB 2 برای تک المان، به %4/27 وdB 8 برای 5 المان افزایش می یابد.