エピタキシャルウェハの製造方法、エピタキシャルウェハ、半導体装置の製造方法及び半導体装置

エピタキシャル成長層の厚みを抑制しつつ、大電流でバイポーラ動作させても、基板上のエピタキシャル成長層と基板との界面から拡張する帯状積層欠陥の発生を効果的に抑制するエピタキシャルウェハを提供する。エピタキシャルウェハの製造方法は、炭化珪素の基板の上に、導電型を決める主ドーパントを添加すると共に少数キャリアを捕獲する副ドーパントを主ドーパントのドーピング濃度より低いドーピング濃度で添加して、耐圧維持層から基板の方向に流れる少数キャリアの捕獲及び消滅を促進する、耐圧維持層より低抵抗の、炭化珪素を主成分とするバッファ層をエピタキシャル成長するステップ（Ｓ１～Ｓ５）と、バッファ層の上に耐圧維持層をエピタキシャル成長するステップと、を含む。