Diffusion barrier film and its manufacturing method, semiconductor memory and its production method

Durch Abscheiden eines Diffusionssperrfilms (7) aus einem Barium enthaltenden Oxid von Aluminium und durch Warmebehandeln desselben in einer Mischgasatmosphare von Sauerstoff und Kohlendioxid wird dafur gesorgt, dass Kohlendioxid am im Diffusionssperrfilm (7) enthaltenen Barium adsorbiert. Der Diffusionssperrfilm kann auf wirkungsvolle Weise das Eindringen von Wasserstoff hemmen und er verfugt uber hervorragende Wasserstoff-Sperreigenschaften. Unter Verwendung des Diffusionssperrfilms fur einen Kondensator kann ein Halbleiterspeicher mit einem Kondensator mit stabilen ferroelektrischen oder hoch-dielektrischen Eigenschaften mit hoher Ausbeute erhalten werden.